QLC 9세대 V낸드 삼성전자 SSD 시장 리더십 확대!

삼성전자 QLC 9세대 V낸드 소개

삼성전자는 초고용량 서버 SSD를 위한 '1Tb 쿼드레벨셀(QLC) 9세대 V낸드'를 업계 최초로 양산하면서 AI 시대에 맞춰 고용량 및 고성능 낸드플래시 시장에서 선도적인 입지를 확립했습니다. 이번 발표는 높은 비트 밀도와 낮은 전력 소비를 특징으로 하여 많은 기대를 모으고 있습니다. 삼성은 지난 4월에 '트리플레벨셀(TLC) 9세대 V낸드' 양산에 성공한 뒤, 이번에 QLC 제품을 출시하며 시장 리더십을 더욱 강화하고 있습니다.

채널 홀 에칭 기술의 혁신

이번 9세대 QLC V낸드는 채널 홀 에칭 기술을 적용하여 '더블 스택' 구조를 구현함으로써 업계 최고 단수를 달성했습니다. 이 기술은 복잡한 적층 구조 속에서 전자 이동을 효율적으로 만들어 줍니다. 이 혁신적인 기술 덕분에 삼성전자는 이전 세대에 비해 약 86% 증가한 비트 밀도를 달성했습니다. 즉, 더 많은 데이터를 저장할 수 있는 가능성을 제공합니다. 이는 데이터 저장 방식에서 기술 발전의 중요한 이정표라 할 수 있습니다.

• V낸드 셀과 페리의 면적 최소화를 통한 비트 밀도 향상
• 예측 프로그램 기술을 통한 성능 개선
• 저전력 설계로 읽기 및 쓰기 전력 소비 감소

셀 특성 균일화와 데이터 보존 성능 개선

삼성전자는 V낸드 구조의 복잡성이 증가함에 따라 셀 특성을 균일하게 유지하는 것이 더욱 중요하다는 것을 인식하고, 디자인드 몰드 기술을 도입했습니다. 이 기술은 셀의 동작 특성을 최적화하여 데이터 보존 성능을 약 20% 향상시킵니다. 더욱 향상된 신뢰성으로 고성능 SSD 시장에서 경쟁력을 갖추게 됩니다. 셀의 동작을 관리하는 워드라인 간격 조정을 통해 전반적인 제품 품질을 개선하고 있습니다.

쓰기 성능과 데이터 입출력 속도 개선

새롭게 도입된 예측 프로그램 기술은 셀의 상태 변화를 사전 예측하여 불필요한 동작을 최소화합니다. 이로 인해 QLC 9세대 제품은 이전 모델에 비해 쓰기 성능은 100% 개선되었으며, 데이터 입출력 속도도 60% 향상되었습니다. 이러한 개선은 특히 대량의 데이터를 처리해야 하는 인공지능 및 데이터 센터 환경에서 유용하게 활용될 것입니다.

전력 소모 절감 기술

삼성전자는 또한 저전력 설계 기술을 적용하여 낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고, 필요한 비트라인만 센싱함으로써 전력 소모를 최소화하고 있습니다. 데이터 읽기와 쓰기에서 각각 30%와 50% 소비 전력을 절감하였습니다. 이러한 전력 효율성은 특히 데이터 센터 운영 비용을 상당히 줄이는 데 기여할 것입니다.

향후 제품 응용처 확대 계획

삼성전자는 9세대 QLC V낸드를 기반으로 한 다양한 제품 응용처를 점차 확대할 계획입니다. 이미 브랜드 제품에서 시작하여, 모바일 범용플래시저장장치(UFS)와 PC 및 서버SSD로의 확장을 계획하고 있습니다. 이러한 확대는 삼성전자가 향후에도 메모리 솔루션 시장의 리더로 군림하는 데 중대한 역할을 할 것입니다.

삼성 메모리 사업부의 비전

허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 "AI용 고성능, 고용량 SSD 시장이 요구하는 최신 라인업을 모두 갖추게 되어, 최근 AI 수요 급증으로 인해 기업용 SSD 시장에서의 리더십이 더욱 부각될 것"이라고 강조했습니다. 9세대 QLC V낸드의 양산은 삼성전자가 지속적으로 뛰어난 메모리 기술을 발전시켜 나가고 있음을 보여줍니다. 이를 통해 삼성전자는 AI와 데이터 중심 사회에서의 중추적인 역할을 다할 것으로 기대됩니다.

결론과 향후 전망

결론적으로, 삼성전자의 9세대 QLC V낸드는 혁신적 기술과 설계를 통해 고성능 SSD 시장에서의 경쟁력을 더욱 강화하고 있습니다. 이런 새로운 기술들은 데이터 저장 방식의 미래를 바꾸어 나가며, 인공지능 시대에 맞는 해결책을 제공할 것입니다. 향후 QLC V낸드는 다양한 응용처와 더불어 데이터 저장 및 관리 기술의 변화를 선도할 것으로 기대됩니다.